Samsung producirá una memoria integrada de varios chips de alta eficiencia para teléfonos inteligentes de nivel de entrada
Buenas noticias para los fabricantes de teléfonos inteligentes de nivel de entrada. Samsung ha dicho que ha comenzado a producir memoria integrada de paquete de múltiples chips (eMCP) para su uso en teléfonos inteligentes de nivel básico a medio. Las nuevas soluciones eMCP de Samsung vendrán en una amplia gama de densidades, utilizando LPDDR2 (doble velocidad de datos 2 de baja potencia) DRAM fabricada con tecnología de proceso de clase de 30 nanómetros (nm) y memoria flash NAND con tecnología de clase de 20 nm.
Al proporcionar a los desarrolladores de teléfonos móviles un proceso de diseño más simple, las nuevas soluciones de memoria eMCP impulsarán los teléfonos inteligentes de nivel básico a medio y ofrecerán un rendimiento mejorado y una mayor duración de la batería.
Las soluciones MCP integradas de Samsung se fabrican en paquetes que consisten en una e-MMC (Embedded MultiMediaCard) de 4GB basada en una memoria flash NAND de clase 20nm para almacenamiento de datos, y una opción de 256 megabytes (MB), 512MB o 768MB de LPDDR2 de clase 30nm DRAM para admitir sistemas de dispositivos móviles de alto rendimiento. (Cada uno equivale a 2GB, 4GB y 6GB, respectivamente).
El chip DRAM LPDDR2 de clase 30nm en los nuevos eMCP tendrá una velocidad de transmisión de datos de 1.066 megabits por segundo (Mbps), lo que duplica el rendimiento de la DRAM móvil (MDDR) anterior de la industria. En comparación con una DRAM LPDDR2 de clase de 40 nm, la nueva DRAM LPDDR2 de clase de 30 nm aumenta el rendimiento en aproximadamente un 30%, mientras que consume un 25% menos de energía. Además, la aplicación de la tecnología de proceso de clase de 30 nm mejora la productividad de fabricación de chips en un 60% con respecto a la tecnología de clase de 40 nm.
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