Samsung Electronics ha anunciado hoy que ha comenzado a producir la primera memoria de cuatro gigabits de baja potencia y doble velocidad de datos 2 (LPDDR2) de la industria utilizando tecnología de clase de 20 nm. El nuevo chip DRAM (memoria dinámica de acceso aleatorio) móvil, que entró en producción en masa el mes pasado, no solo es más rápido, sino que también es más ligero y proporciona una mayor duración de la batería a los dispositivos móviles.
Las tabletas y los teléfonos inteligentes ahora se están equipando con CPU de cuatro núcleos y la demanda de productos de memoria de mayor capacidad y eficiencia energética que garanticen una mayor duración de la batería, así como una velocidad de procesamiento más rápida
La DRAM móvil de 4GB de clase 20nm de Samsung representa la memoria móvil más delgada, de mayor densidad y de mayor rendimiento, que permite diseños móviles ultradelgados, así como sistemas superiores de próxima generación para fabricantes de dispositivos móviles y proveedores de soluciones empresariales.
Además, Samsung ha utilizado una tecnología similar para producir soluciones de 2 Gigabytes que miden solo 0,8 milímetros de grosor, que apilan cuatro chips LPDDR2 de 4Gb en un solo paquete LPDDR2. Este nuevo paquete es aproximadamente un 20 por ciento más delgado que los paquetes de 2GB que apilan cuatro chips LPDDR2 de 4Gb de clase 30nm. Además, el nuevo paquete de 2GB puede procesar datos hasta 1.066 megabits por segundo (Mbps), mientras gasta la misma cantidad de energía que un paquete anterior de 2GB de clase 30nm. Los beneficios del nuevo LPDDR2 4Gb de clase 20nm ayudarán a acelerar el crecimiento del mercado DRAM de 4Gb.
Samsung espera que el LPDDR2 de 4Gb de clase 20nm recientemente introducido reemplace rápidamente el LPDDR2 de 1GB basado en 2Gb de clase 30nm que estaba en suministro limitado con un grosor de 0.8 mm. La producción de LPDDR2 4Gb de clase 20nm garantiza a Samsung la gama más amplia de productos DRAM móviles de la industria. Esto sigue al logro anterior de la compañía con DRAM de clase 20nm, cuando proporcionó los primeros módulos DDR3 de 8GB de clase 20nm de la industria para PC portátiles en marzo.
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