Samsung anuncia DRAM móvil LPDDR3 de ultra alta velocidad de 4 Gb

En una búsqueda para ofrecer memoria bien diferenciada, de alto rendimiento y alta densidad a los clientes de manera oportuna, Samsung ha lanzado un nuevo dispositivo móvil de velocidad ultra alta de cuatro gigabits (Gb) de baja potencia y doble velocidad de datos 3 (LPDDR3). DRAM, que se está produciendo en un nodo de proceso de clase de 20 nanómetros.

Clase de 20 nm 4Gb-LPDDR3

La DRAM móvil LPDDR3 de 4 Gb de Samsung, cuando se utiliza en teléfonos inteligentes y tabletas, puede transmitir datos a una velocidad de hasta 2133 megabits por segundo (Mbps) por pin, lo que significa que se pueden transferir casi tres videos Full HD de 17 GB de longitud total en solo un segundo. Se recomendará el LPDDR3 para la visualización perfecta de video Full HD en teléfonos inteligentes con pantallas de cinco pulgadas o más.

Comparando el LPDDR3 de 4 Gb con el LPDDR2, la velocidad de transmisión de datos es casi el doble. También utilizando el nuevo LPDDR3, el rendimiento mejoraría en más del 30 por ciento y el ahorro de energía en casi un 20 por ciento, lo que lo haría muy deseable.

El nuevo LPDDR3 de 4 Gb sería beneficioso para los fabricantes que están reduciendo el tamaño de sus dispositivos móviles. Al usar esta DRAM, los OEM pueden tener un paquete de 2GB que incluye cuatro de los nuevos chips de Samsung en un solo paquete que cumple con la altura del paquete de memoria de 0.8 milímetros.

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